No 1 (2) (2012)

КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ ИХ ОТЖИГА

Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов.

Авторы:

Всеволод Всеволодович Дохтуров

Серафим Всеволодович Смирнов

Алексей Васильевич Юрченко

Василий Иванович Юрченко

Скачать PDF (Русский)