No 3 (4) (2012)

РАДИАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЬ ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Исследовано влияние характеристического рентгеновского излучения на полуизолирующий арсенид галлия, применяемый в качестве подложек при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем с помощью ионной имплантации и эпитаксии. Установлено, что изменение сопротивления при облучении позволяет получать информацию об однородности и термической стабильности пластин полуизолирующего арсенида галлия. Обсуждаются физические процессы, происходящие при облучении полуизолирующего арсенида галлия.

Авторы:

Василий Александрович Клименов

Аркадий Павлович Мамонтов

Скачать PDF (Русский)