МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ БЛОК УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ КОММУТАТОРОМ ДЛЯ НАКАЧКИ СUBR-ЛАЗЕРА

Традиционно источники накачки лазеров на парах бромида меди строятся с применением газоразрядных высоковольтных коммутаторов, таких как тиратроны. Основными недостатками использования газоразрядных приборов являются большие массогабаритные параметры, относительно небольшой срок службы и высокая стоимость. Однако с появлением на рынке мощных полупроводниковых приборов (IGBT и MOSFET) стало возможно создание твердотельных источников накачки, которые имеют более широкий диапазон рабочих частот, высокую гибкость управления и больший ресурс, наработку, срок службы. Отдельно транзисторы не могут обеспечить достаточные значения коммутируемых напряжений (от 3…4 кВ), поэтому на практике для организации коммутатора необходимо соединять несколько транзисторов последовательно, что является непростой задачей. Общим недостатком схем с последовательным включением транзисторов является неоднородное распределение потенциала в структуре коммутатора, которое может быть обусловлено как несинхронностью моментов включения-выключения (несовершенством драйверной схемы), так и заводским разбросом параметров транзисторов, таких как междуэлектродные емкости, пороговое напряжение, крутизна входной характеристики. В данной работе представлен анализ различных способов накачки лазеров на парах металлов, а также способов коррекции потенциала в структуре последовательного полупроводникового коммутатора. Разработан микропроцессорный блок управления полупроводниковым коммутатором на микроконтроллере семейства AVR.